RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
7.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2690
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link