RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
9.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2509
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link