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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
46
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
24
读取速度,GB/s
4,937.3
15.5
写入速度,GB/s
2,061.2
9.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2509
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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