RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2480
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link