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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
6400
Rund um 3.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
23400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2709
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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