A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 16
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,061.2 left arrow 12.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 46
    Wokół strony -53% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    23400 left arrow 6400
    Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    46 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,937.3 left arrow 16.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,061.2 left arrow 12.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    759 left arrow 2709
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania