RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
52
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
7.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2236
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link