A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

总分
star star star star star
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    46 left arrow 52
    左右 12% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 10.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    7.7 left arrow 2,061.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    46 left arrow 52
  • 读取速度,GB/s
    4,937.3 left arrow 10.5
  • 写入速度,GB/s
    2,061.2 left arrow 7.7
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    759 left arrow 2236
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较