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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
71
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
6.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
1650
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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