RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Vergleichen Sie
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Gesamtnote
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
56
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2272
2455
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM-Vergleiche
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link