RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S-UO 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
56
Около 52% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
56
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
20.1
Скорость записи, Гб/сек
9.2
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2272
2455
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link