RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
30
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
19
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3189
2846
AMD R538G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link