RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
30
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
19
30
Скорость чтения, Гб/сек
18.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.3
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3189
2846
AMD R538G1601U2S 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link