Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

-->

Средняя оценка

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Средняя оценка

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

Причины выбрать
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 33

Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.9 17.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.3 12.5

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 30
Скорость чтения, Гб/сек

17.8 17.9
Скорость записи, Гб/сек

12.5 13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3285 3226

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston KHX2666C15/16GX 16GB

Kingston KHX2666C15/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB

Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB

G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB

G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB

модули RAM