RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
30
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
30
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2846
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link