RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
37
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2581
2234
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link