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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

AMD R5S38G1601U2S 8GB Razones a tener en cuenta
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.4 left arrow 10
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.2 left arrow 8.5
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 37
    En -23% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.4 left arrow 10.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.2 left arrow 8.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2581 left arrow 2234

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