RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Vergleichen Sie
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Gesamtnote
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
47
Rund um -147% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2323
3370
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link