RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Compara
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
47
En -147% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
19
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2323
3370
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link