RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Comparez
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Note globale
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
47
Autour de -147% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
19
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2323
3370
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link