RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
47
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
12.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2323
2910
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link