Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Gesamtnote
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Unterschiede

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 47
    Rund um -42% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.6 left arrow 11.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 9.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 19200
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    47 left arrow 33
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 17.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 12.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2323 left arrow 2910
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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