RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
47
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
2910
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link