RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
32
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2307
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link