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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
12.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2307
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
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