RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2307
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link