RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
3648
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link