RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1822
3648
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link