RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3372
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link