RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
36
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3372
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link