RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3372
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link