RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3372
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link