RAM-Vergleich Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Gesamtnote

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

20 23

Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

19.1 18.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.0 13.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 10600

Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

3252 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns