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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Gesamtnote
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
23
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
20
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3252
3317
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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