Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Unterschiede

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    20 left arrow 23
    Rund um 13% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    19.1 left arrow 18.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    15.0 left arrow 13.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    20 left arrow 23
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    19.1 left arrow 18.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.1 left arrow 15.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3252 left arrow 3317
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche