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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
比較する
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
総合得点
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
総合得点
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
23
周辺 13% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.1
18.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
15.0
13.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
20
23
読み出し速度、GB/s
19.1
18.1
書き込み速度、GB/秒
13.1
15.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3252
3317
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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