RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
34
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2782
3273
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link