RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
10.3
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2782
3273
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link