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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
34
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2782
3273
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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