RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
41
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2385
2987
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link