RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
41
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2385
2987
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link