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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
41
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2385
2987
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Comparações de RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
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