RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2307
3859
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link