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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
39
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2307
2264
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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