Comparação RAM Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Pontuação geral

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 39

Por volta de 36% menor latência

Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.5 14.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.5 8.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 12800

Por volta de 1.66 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2307 2264

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns