Comparación de la memoria RAM Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Puntuación global

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 39

En 36% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.5 14.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.5 8.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 12800

En 1.66 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2307 2264

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns