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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3525
3116
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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