Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Pontuação geral
star star star star star
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 33
    Por volta de 15% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    18.4 left arrow 16.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.7 left arrow 12.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 17000
    Por volta de 1.25 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 33
  • Velocidade de leitura, GB/s
    18.4 left arrow 16.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    14.7 left arrow 12.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3525 left arrow 3116
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações