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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
18.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
14.7
12.0
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3525
3116
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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