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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
比较
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
18.4
16.2
写入速度,GB/s
14.7
12.0
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3525
3116
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
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Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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