RAM-Vergleich Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Gesamtnote

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

17 25

Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

22.8 14.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.4 10.7

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

3391 2620

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns