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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
総合得点
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
総合得点
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
17
25
周辺 32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
22.8
14.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
10.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
17
25
読み出し速度、GB/s
22.8
14.5
書き込み速度、GB/秒
15.4
10.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3391
2620
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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