RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
37
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
6.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
1983
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link