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Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Vergleichen Sie
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Gesamtnote
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
47
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,361.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,680.7
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,361.1
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
460
3273
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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