RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Vergleichen Sie
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Gesamtnote
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair VS1GB800D2 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
47
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,361.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,680.7
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,361.1
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
460
3273
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link