RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair VS1GB800D2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,361.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,680.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,361.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
460
3273
Corsair VS1GB800D2 1GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link